英飞凌科技公司（法兰克福证券交易所股票代码：IFX / 美国柜台交易市场股票代码：IFNNY）是碳化硅（SiC）功率器件和SiC MOSFET沟槽栅极技术的领导者，始终以结合卓越性能和高可靠性的解决方案引领行业。目前，CoolSiC™产品系列覆盖400V至3.3kV的电压范围，其应用领域包括汽车电力传输系统、电动汽车充电、光伏系统、储能和高功率牵引逆变器。现在，英飞凌凭借其在碳化硅业务发展方面的丰富经验和在硅基电荷补偿器件（CoolMOS™）领域的创新优势，推出了碳化硅沟槽超结（TSJ）技术。
IDPAK封装MDIP-04-01
英飞凌科技零碳工业电源事业部总裁彼得·瓦韦尔（Peter Wawer）表示：“TSJ技术的推出显著扩展了我们的碳化硅技术能力。沟槽栅结构与超结技术的结合能够实现更高的效率和更紧凑的设计，这对于对性能和可靠性要求极高的应用至关重要。英飞凌致力于通过碳化硅TSJ技术逐步扩展其CoolSiC™产品组合。”此次扩展涵盖了多种封装形式，包括分立器件、模压和框架封装模块以及裸晶圆。扩展后的产品组合能够满足汽车和工业领域广泛的应用需求。
基于这项新技术的首批产品是采用IDPAK封装的1200V功率器件，适用于汽车牵引逆变器。该产品充分利用了英飞凌在碳化硅（SiC）和硅基超结技术（CoolMOS™）领域超过25年的经验，结合了沟槽栅技术和超结设计的优势。可扩展的封装平台支持高达800kW的功率，能够实现高度灵活的系统配置。这项技术的主要优势之一是通过将Ron*A降低多达40%来实现更高的功率密度，从而在相同功率水平下实现更紧凑的设计。此外，采用IDPAK封装的1200V碳化硅TSJ功率器件可在不牺牲短路能力的情况下，将主逆变器的电流承载能力提高多达25%。
这项技术进步还为要求严苛的汽车和工业应用带来了整体系统性能的提升，包括更低的能耗和散热要求，以及更高的可靠性。此外，该系统降低了并行需求，简化了设计流程并降低了整体系统成本。凭借这些创新优势，基于IDPAK封装的SiC TSJ功率器件将助力设计出更高效且更具成本效益的汽车牵引逆变器。
英飞凌科技汽车电子事业部总裁彼得·谢弗（Peter Schiefer）表示：“作为全球汽车半导体领域的领导者，英飞凌始终引领创新步伐，并致力于搭建汽车技术进步与可持续交通之间的桥梁。我们基于沟槽栅结构的新型碳化硅超结技术能够提升效率并简化系统设计，为电动汽车的电力传输系统带来更大价值。”
现代汽车研发团队是英飞凌TSJ技术的首批客户之一，他们将充分利用该技术提升其电动汽车产品的性能。此次合作将助力现代汽车开发出更高效、更紧凑的电动汽车动力总成。
翻译为中文： (来源：英飞凌工业半导体)